磁环抑制特高压GIS设备中特快速暂态过电压的模拟试验

被引：29

作者：

关永刚 ^{[1
]}

张猛 ^{[2
]}

岳功昌 ^{[1
]}

张希捷 ^{[2
]}

刘卫东 ^{[1
]}

机构：

[1] 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室

[2] 西安西电开关电气有限公司

来源：

高电压技术 | 2011年 / 03期

关键词：

特高压(UHV); 气体绝缘组合电器(GIS); 特快速暂态过电压(VFTO); 磁环; 抑制; 铁氧体; 非晶材料;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2011.03.014

中图分类号：

TM864 [内过电压];

学科分类号：

摘要：

为抑制特高压气体绝缘组合电器(GIS)设备中特快速暂态过电压(VFTO)提出了采用磁环抑制的方法,并进行了模拟试验。利用252kV GIS设备构建试验系统,利用SF6气体间隙在50、75和100kV的电压等级下击穿产生高陡度的行波,测试了不同长度的R2KB铁氧体磁环串和FJ37非晶磁环串对电压行波幅值和陡度的抑制效果。试验表明,只要磁环串的长度>0.5m,其对于电压行波幅值的抑制效果将不再随磁环串长度的增加而发生显著变化,但行波上升时间将随磁环串长度的增加而增加;在磁环串长度≥1m的情况下,铁氧体磁环对于电压行波的综合抑制效果优于非晶磁环。试验表明,采用磁环抑制特高压GIS中VFTO的方法在原理上是可行的。

引用

页码：651 / 657

页数：7

共 17 条

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