N+离子束注入庆大霉素产生菌诱变效应研究

被引：14

作者：

赵洪英

李彦

裴鸿娇

张铁成

机构：

[1] 天津理工学院材料物理所!天津

[2] 天津师范大学物理系!天津

[3] 天津市河北制药厂!天津

来源：

天津理工学院学报 | 2001年 / 01期

关键词：

离子注入; 质量沉积; 诱变育种; 存活率曲线;

D O I：

暂无

中图分类号：

Q939.9 [应用微生物学]; S335 [引变（诱变）和突变育种];

学科分类号：

071005 ; 100705 ; 071007 ; 090102 ;

摘要：

用 30kV ,剂量 1 .0× 1 0 1 5ions/cm2 ～ 5.0× 1 0 1 6ions/cm2 的N+离子注入庆大霉素产生菌成熟孢子后 ,作出菌种的存活率曲线 ,为典型的“马鞍型”剂量 -效应曲线 .围绕存活率曲线的峰值区域选取最佳注入剂量对菌种进行诱变育种 ,经筛选得到了高产抗突变菌种 ,摇瓶发酵表明其产抗能力可提高 2 7.39% ,成果显著 .

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