共 11 条
N+离子束注入庆大霉素产生菌诱变效应研究
被引:14
作者:
赵洪英
李彦
裴鸿娇
张铁成
机构:
[1] 天津理工学院材料物理所!天津
[2] 天津师范大学物理系!天津
[3] 天津市河北制药厂!天津
来源:
关键词:
离子注入;
质量沉积;
诱变育种;
存活率曲线;
D O I:
暂无
中图分类号:
Q939.9 [应用微生物学];
S335 [引变(诱变)和突变育种];
学科分类号:
摘要:
用 30kV ,剂量 1 .0× 1 0 1 5ions/cm2 ~ 5.0× 1 0 1 6ions/cm2 的N+离子注入庆大霉素产生菌成熟孢子后 ,作出菌种的存活率曲线 ,为典型的“马鞍型”剂量 -效应曲线 .围绕存活率曲线的峰值区域选取最佳注入剂量对菌种进行诱变育种 ,经筛选得到了高产抗突变菌种 ,摇瓶发酵表明其产抗能力可提高 2 7.39% ,成果显著 .
引用
收藏
页码:14 / 17
页数:4
相关论文