镁合金等离子体微弧氧化过程控制的研究

被引：17

作者：

龚巍巍

张乐

吴晓玲

杜建成

机构：

[1] 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室

来源：

材料热处理学报 | 2005年 / 01期

关键词：

等离子体微弧氧化(MAO); 二次放电; 镁合金;

D O I：

10.13289/j.issn.1009-6264.2005.01.019

中图分类号：

TG174.45 [无机物复层保护]; TG146.2 [轻有色金属及其合金];

学科分类号：

摘要：

研究AZ31镁合金微弧氧化过程中不同控制参数对膜性能的影响。镁合金微弧氧化中存在一个二次放电过程 ,它会对已长成的膜起破坏作用。通过改变溶液成分或浓度可对镁合金微弧氧化临界点的出现时间进行控制。在此基础上进一步研究一次放电不同控制过程对膜层性能的影响 ,发现采用渐进式升压方式能提高膜的致密层和疏松层的比例 ,但对膜的总厚度影响不大。合适的阴极匹配电压 ,可减小功耗 ,降低气孔率 ,改善膜的性能。

引用

页码：77 / 80+104 +104

页数：5

共 5 条

[1] 镁合金微弧氧化陶瓷层生长过程及微观结构的研究 [J].