电子束制作高分辨率波带片图形数据研究

被引:3
作者
王德强
康晓辉
谢常青
叶甜春
机构
[1] 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室
关键词
电子束; 波带片; 双曝光; 临近效应;
D O I
暂无
中图分类号
TN05 [制造工艺及设备];
学科分类号
摘要
根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系,设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型。通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据,给出图形数据量和剖分单元数的变化关系曲线。根据扫描电子显微镜得到的实验结果,决定采用无间隙拼接处错开的模型。在使用负性抗蚀剂SAL601,电子束曝光剂量35μC,前烘温度75℃等条件下,制作出了最外环宽度为250nm的波带片。
引用
收藏
页码:28 / 33
页数:6
相关论文
共 3 条
[1]   激光-惯性约束聚变综合诊断系统 [J].
郑志坚 ;
丁永坤 ;
丁耀南 ;
刘忠礼 ;
刘慎业 ;
孙可煦 ;
成金秀 ;
江少恩 ;
祁兰英 ;
张保汉 ;
杨存榜 ;
杨家敏 ;
苏春晓 ;
陈家斌 ;
李文洪 ;
易荣清 ;
唐道源 ;
黄天晅 ;
曹磊峰 ;
温树槐 ;
彭翰生 ;
蒋小华 ;
缪文勇 .
强激光与粒子束, 2003, (11) :1073-1078
[2]   复杂微光刻图形版图设计系统 [J].
胡勇 ;
黄广宇 ;
陈宝钦 ;
李友 .
微细加工技术, 2002, (02) :15-18+23
[3]   X射线波带片的制作及其应用 [J].
徐向东,洪义麟,付绍军,张允武 .
光学技术, 1999, (02) :21-24