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电子束制作高分辨率波带片图形数据研究
被引:3
作者:
王德强
康晓辉
谢常青
叶甜春
机构:
[1] 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室
来源:
关键词:
电子束;
波带片;
双曝光;
临近效应;
D O I:
暂无
中图分类号:
TN05 [制造工艺及设备];
学科分类号:
摘要:
根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系,设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型。通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据,给出图形数据量和剖分单元数的变化关系曲线。根据扫描电子显微镜得到的实验结果,决定采用无间隙拼接处错开的模型。在使用负性抗蚀剂SAL601,电子束曝光剂量35μC,前烘温度75℃等条件下,制作出了最外环宽度为250nm的波带片。
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