离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

被引：7

作者：

陈贵宾

陆卫

缪中林

李志锋

蔡炜颖

沈学础

陈昌明

朱德彰

胡钧

李明乾

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

来源：

关键词：

量子阱; 离子注入; 光致荧光谱; 界面混合;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .

引用

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