衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响

被引：3

作者：

陈光华

邓金祥

张生俊

宋雪梅

王波

严辉

机构：

[1] 北京工业大学材料学院!北京

[2] 北京工业大学应用数理学院!邮编

来源：

物理学报 | 2001年 / 01期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

立方氮化硼薄膜; 衬底; 热丝CVD; 射频溅射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 .用热丝增强射频等离子体CVD法 ,以NH3,B2 H6和H2 为反应气体 ,在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上 ,成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜 .还用13 5 6MHz的射频溅射系统将c BN薄膜沉积在Si衬底上 ,靶材为h BN(纯度 99 99% ) ,溅射气体为氩气和氮气的混合气体 ,所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于 90 % .用X射线衍射谱和傅里叶变换红外谱对样品进行的分析表明 ,衬底材料与c BN的晶格匹配情况 ,对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大 ,而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大 .

引用

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