共 1 条
射频微机械CPW开关的研究
被引：2
作者：
张正元
温志渝
徐世六
张正番
黄尚廉
机构：
[1] 重庆大学光电工程学院
[2] 国家模拟集成电路重点实验室
[3] 重庆大学光电工程学院 重庆国家模拟集成电路重点实验室
[4] 重庆
来源：
关键词：
射频微机械开关;
CPW开关;
金属膜;
绝缘层;
牺牲层;
D O I：
暂无
中图分类号：
TM564 [各种开关];
学科分类号：
080801 ;
摘要：
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 ,降低体积提高可靠性打下了基础
引用
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