长脉宽脉冲激光硅片弯曲成形试验

被引：12

作者：

吴东江 ^{[1
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马广义 ^{[1
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周秋菊 ^{[1
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许卫星 ^{[1
]}

许媛 ^{[2
]}

王续跃 ^{[1
]}

赵福令 ^{[1
]}

机构：

[1] 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室

[2] 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

来源：

光学精密工程 | 2007年 / 09期

关键词：

激光弯曲; 硅片; 脉冲频率; 脉冲宽度; 脉冲占空比;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN249 [激光的应用];

学科分类号：

摘要：

利用毫秒脉宽Nd:YAG激光对硅片进行了弯曲试验,给出了长脉宽脉冲激光弯曲硅片的能量阈值条件。研究了长脉宽Nd:YAG激光脉冲频率和脉冲宽度参数对硅片弯曲角度的影响,同时说明了脉冲频率和脉冲宽度参数对弯曲角度的影响可以转换成扫描速度和功率密度对弯曲角度的影响,并对试验结果进行了分析,引入了脉冲占空比来表征能量的时域分布对弯曲现象的影响。试验结果表明,采用毫秒量级脉冲激光可以对硅片进行弯曲加工,弯曲角度可达20°以上。

引用

页码：1361 / 1365

页数：5

共 7 条

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