前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

被引：5

作者：

张勇 ^{[1
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刘艳 ^{[1
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吕斌 ^{[1
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张红英 ^{[1
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王基庆 ^{[1
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汤乃云 ^{[2
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机构：

[1] 华东师范大学电子科学与工程系

[2] 上海电力学院计算机与信息工程学院

来源：

物理学报 | 2009年 / 58卷 / 04期

关键词：

铟锡氧化物; 非晶硅; 微晶硅; 计算机模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

摘要：

运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因.研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著.随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和.模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.

引用

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页数：7