脉冲直流PCVD制备Ti(C,N)薄膜及其组织结构分析

被引：4

作者：

王昕

马大衍

马胜利

徐可为

机构：

[1] 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安,陕西西安,陕西西安,陕西西安

来源：

稀有金属材料与工程 | 2004年 / 02期

关键词：

PCVD; Ti(C,N); 相结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

用工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积（PCVD）设备,针对不同混合气体CH4所占比例,在H13模具钢表面沉积了Ti（C,N）薄膜。用SEM观察薄膜断口形貌,用XRD及XPS分析薄膜相组成和价态。结果表明:一定量碳元素的加入,抑制了TiN薄膜中柱状晶的生长,并且阻止了TiN晶粒的长大。Ti（C,N）的相结构可能为TiN和TiC两相混合,但在C（或N）含量较低的膜层中,C（或N）原子也会以置换的方式存在于TiN（或TiC）单相组织中。

引用

页码：204 / 206

页数：3

共 4 条

[1] 表面强化对EB-PVD热障涂层的高温氧化性能及结合强度的影响 [J].