功率IGBT模块的可靠性分析

被引：29

作者：

王彦刚

Jones Steve

刘国友

机构：

[1] 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心

来源：

机车电传动 | 2013年 / 01期

关键词：

IGBT模块; 可靠性; 可靠性试验; 失效机制; 寿命;

D O I：

10.13890/j.issn.1000-128x.2013.01.005

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

介绍了功率模块的现状、封装过程、可靠性及其失效规律,论述了研究模块可靠性的标准试验方法如耐力试验和环境试验,讨论了模块的主要失效机制如键合引线失效、表面金属化重建、焊料疲劳和衬底分层等。

引用

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页数：5

共 4 条

[1]

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