TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析

被引：1

作者：

王雯

钱钦松

孙伟锋

机构：

[1] 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心

来源：

电子器件 | 2008年 / 31卷 / 06期

关键词：

静电放电; 瞬态特性; 传输线脉冲; 过冲电压; 过冲时间;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

摘要：

采用TCAD Sentaurus模拟分析了gg-NMOS在TLP应力下的瞬态特性。包括NMOS的栅长,栅氧化层厚度,栅宽及TLP电流大小对ESD保护器件开启特性的影响。分析表明,器件栅长增加,栅氧变厚,栅宽变宽都使得漏端过冲电压增大,达到这一电压所需时间变长。对于相同上升时间的TLP脉冲,大电流则对应短的上升时间和高的过冲电压。该工作为以后高响应速度ESD保护器件设计提供依据和参考。

引用

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