等离子体化学气相淀积SnO2气敏材料

被引：3

作者：

张俊颖

小林健吉郎

沈瑜生

机构：

[1] 中国科学枝术大学应用化学系

[2] 日本长岗技术科技大学工学部

[3] 中国科学技术大学应用化学系合肥

[4] 合肥

来源：

关键词：

气敏半导体; 等离子体化学气相淀积; 薄膜; 二氧化锡;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

用等离子体激活的化学气相淀积（PCVD）方法在比表面大的多孔玻璃上淀积纯 SnO2,得到稳定性好、工作温度低及选择性较好的气敏薄膜元件。研究了该元件对 H2、C2H5OH、LPG（液化石油气）等气体的气敏效应,对元件的检测机理作了一些探讨,并与用烧结法制备的元件的气敏性能进行了比较。

引用

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