低电阻p-DBR结构的模拟分析

被引：2

作者：

马丽娜

郭霞

盖红星

渠红伟

董立闽

邓军

廉鹏

沈光地

机构：

[1] 北京工业大学电子信息与控制工程学院

[2] 北京市光电子技术实验室

来源：

半导体技术 | 2005年 / 06期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

渐变布拉格反射器; 渐变形状; 价带势垒;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2005.06.015

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

摘要：

设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合。

引用

页码：56 / 59

页数：4

共 4 条

[1] 垂直腔面发射激光器DBR结构参数的优化设计 [J].

李孝峰 ;

潘炜 ;

罗斌 ;

邓果 ;

赵峥 .

激光杂志, 2004, (02) :6-7

[2] VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性 [J].

康香宁 ;

陈良惠 .

固体电子学研究与进展, 2004, (01) :50-54+59

[3] 垂直腔面发射激光器热场特性分析 [J].

刘立新 ;

赵红东 ;

曹萌 .

微纳电子技术, 2003, (04) :8-11

[4]

半导体激光器原理.[M].杜宝勋著;.兵器工业出版社.2001,

← 1 →