基于数字采样示波器的InGaAsP单光子雪崩二极管的特性(英文)

被引：1

作者：

刘伟

杨富华

吴孟

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

来源：

半导体学报 | 2006年 / 10期

关键词：

InGaAsP单光子雪崩二极管; 50GHz数字采样示波器; 门模式;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM935.3 [示波器]; TN312 [二极管：按结构和性能分];

学科分类号：

摘要：

介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(即盖革模式)工作状态下,单光子探测的模式和过程.并且在波长分别为1310和1550nm的情况下进行了定量研究.在1550nm,工作温度203K条件下,该探测器达到了暗计数概率2·4×10-3每门,量子效率52 %,50kHz的门信号重复频率;在工作温度为238K时,相应参数分别为8·5×10-3,43 %和200kHz .

引用

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