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钇掺杂ZrO2中电导与氧空位跃迁的关系
被引:13
作者
:
论文数:
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机构:
潘小龙
唐超群
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机构:
华中理工大学物理系
唐超群
夏正才
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机构:
华中理工大学物理系
夏正才
机构
:
[1]
华中理工大学物理系
来源
:
华中理工大学学报
|
1997年
/ 06期
关键词
:
钇稳定的二氧化锆;电导率;氧空位跃迁;
D O I
:
10.13245/j.hust.1997.06.036
中图分类号
:
O483 [固体缺陷];
学科分类号
:
070205 ;
0805 ;
080502 ;
0809 ;
摘要
:
分析了钇掺杂ZrO2中可能存在的氧空位跃迁类型,用静态计算方法计算了各种跃迁类型的空位跃迁能.在此基础上讨论了Y2O3掺杂量变化对氧空位跃迁类型转化的影响,认为在掺杂量低于9.1mol%时,能量较低的空位跃迁类型是主要的,掺杂量高于9.1mol%时,能量高的空位跃迁类型逐渐占主导地位,这是YSZ电导率随着钇掺入量的增加有一个最大值的原因
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页码:110 / 113
页数:4
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共 2 条
[1]
YSZ薄膜材料的制备及电导性能
[J].
喻维杰,谭启,彭定坤,孟广耀,曹传宝,胡建恺,张裕恒
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0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学技术大学
喻维杰,谭启,彭定坤,孟广耀,曹传宝,胡建恺,张裕恒
.
材料研究学报,
1994,
(04)
:337
-342
[2]
固体离子学[M]. 北京工业大学出版社 , (日)工藤彻一, 1992
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