焊层空洞对IGBT模块热应力的影响

被引：15

作者：

吴煜东 ^{[1
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常桂钦 ^{[1
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彭勇殿 ^{[1
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方杰 ^{[1
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唐龙谷 ^{[1
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李继鲁 ^{[1
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机构：

[1] 电力电子器件湖南省重点实验室

[2] 株洲南车时代电气股份有限公司

来源：

大功率变流技术 | 2014年 / 01期

关键词：

IGBT模块; 焊层厚度; 空洞率; 热分析; 应力分析; 瞬态热阻抗;

D O I：

10.13889/j.issn.2095-3631.2014.01.015

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。

引用

页码：17 / 23

页数：7

共 7 条

[1] 基于集总参数法的IGBT模块温度预测模型 [J].

魏克新 ;

杜明星 .

电工技术学报, 2011, 26 (12) :79-84

[2] IGBT焊料层中的空洞对器件热可靠性的影响 [J].

张健 ;

张小玲 ;

吕长志 ;

佘烁杰 .

固体电子学研究与进展, 2011, 31 (05) :517-521

[3] 绝缘栅双极型晶体管传热模型建模分析 [J].

陈明 ;

胡安 ;

唐勇 ;

汪波 .

高电压技术, 2011, (02) :453-459

[4] 芯片粘接空洞对功率器件散热特性的影响 [J].

陈颖 ;

孙博 ;

谢劲松 ;

李健 .

半导体技术, 2007, (10) :859-862

[5] 封装中的界面热应力分析 [J].

蒋长顺 ;

谢扩军 ;

许海峰 ;

朱琳 .

电子与封装, 2006, (08) :23-25+32

[6]

传热学[M]. 高等教育出版社 , 杨世铭,陶文铨编著, 2006

[7]

Thermal modeling of diamond-based power electronics package. Fabis P M,Shun D,Windischmann H. Fifteenth IEEE Semi-thermal Symposium . 1999

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