区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

被引：3

作者：

李维刚

许颖

励旭东

姬成周

机构：

[1] 北京师范大学低能核物理研究所

[2] 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室

[3] 北京市太阳能研究所光电室

[4] 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实

来源：

北京师范大学学报(自然科学版) | 2001年 / 06期

关键词：

区熔再结晶; 多晶硅薄膜; 太阳电池;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.42 [];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为籽晶层 ,再在上面以RTCVD制备电池活性层 ,经过标准的太阳电池工艺 ,得到了转换效率为 10 .2 1%,填充因子为 0 .6 913的电池产品 .

引用

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