偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上制备ITO透明导电膜

被引：13

作者：

杨志伟

韩圣浩

杨田林

赵俊卿

马瑾

马洪磊

程传福

机构：

[1] 山东大学光电材料与器件研究所!济南

[2] 山东师范大学物

来源：

物理学报 | 2000年 / 06期

关键词：

透明导电膜; 负偏压; 衬底; 基片; 磁控溅射法; ITO;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 3× 10 -4 Ωcm、附着良好的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 .SnO2 最佳掺杂浓度为 7 5 %— 10 % (w .t.) ,最佳氩分压为 0 5— 1Pa.当衬底负偏压为 2 0— 40V时 ,晶粒平均尺寸最大 ,制备出的薄膜的电阻率有最小值 .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的c轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少 .最佳衬底负偏压取值范围为 2 0— 40V .

引用

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