调制结构对TiN／TaN多层膜的生长行为及力学性能的影响

被引：4

作者：

赵阳

王娟

徐晓明

张庆瑜

机构：

[1] 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

来源：

金属学报 | 2006年 / 04期

关键词：

TiN／TaN多层膜; 生长行为; 结构特征; 力学特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

利用反应磁控溅射方法,制备了调制周期相同而调制比不同的TiN／TaN多层膜．利用XRD,HRTEM和纳米压痕仪分别对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行了系统研究．结果表明:调制结构不仅改变多层膜的生长速率,而且能导致多层膜择优生长取向的变化;界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降;在TiN／TaN多层膜中存在着各自独立外延生长的[111]和[100]两种取向的调制结构,且具有不同的调制周期;调制周期为6 nm左右的TiN／TaN多层膜的硬度与弹性模量分别提高约50％与30％;在调制比为3:1时,硬度最大值为34．2 GPa,弹性模量为344．9 GPa;根据结构和力学性能的分析结果,讨论了TiN／TaN多层膜的硬化机制．

引用

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