内表面栅极等离子体源离子注入TiN薄膜及其特性研究

被引：15

作者：

张谷令

王久丽

杨武保

范松华

刘赤子

杨思泽

机构：

[1] 中国科学院物理研究所

[2] 中国科学院物理研究所北京

[3] 北京

[4] 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室

[5] 厦门

[6] 三束国家重点实验室

[7] 大连理工大学

[8] 大连

来源：

物理学报 | 2003年 / 09期

关键词：

腐蚀; 等离子体源离子注入; 薄膜; 氮化钛;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

阐述了栅极增强等离子体源离子注入 (GEPSII)方法的基本思想 .利用GEPSII方法在 4 5号钢基底上生成了金黄色氮化钛 (TiNx)膜 .对不同条件下的TiN膜做电化学腐蚀 ,XPS ,AES ,XRD等分析 .电化学腐蚀实验显示TiN薄膜改善了 4 5号钢的耐腐蚀性能 5— 10倍 ,且在高气压下效果更好 .结构分析显示TiN膜含有TiO2 ,TiN成分 ,主要沿( 111)和 ( 2 0 0 )晶向生长 ,深度分析显示膜的厚度只有二十几纳米 ,膜质地均匀且在基底有一定的嵌入深度

引用

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