大电流负载的片上LDO系统设计

被引：3

作者：

胡佳俊

陈后鹏

宋志棠

王倩

宏潇

李喜

许伟义

机构：

[1] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

来源：

电子学报 | 2013年 / 41卷 / 07期

关键词：

瞬态响应; 相位裕度; 快速响应; 低压差; 大电流负载;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM44 [稳定器];

学科分类号：

摘要：

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.

引用

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