IGBT失效机理与特征分析

被引：67

作者：

马晋 ^{[1
]}

王富珍 ^{[1
]}

王彩琳 ^{[2
]}

机构：

[1] 西安永电电气有限责任公司

[2] 西安理工大学

来源：

关键词：

绝缘栅双极型晶体管; 过应力; 失效分析;

D O I：

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中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

简要介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构特点与寄生效应,分析了IGBT的过应力失效机理,并从失效现象与失效条件入手,描述了IGBT因过压、过流、过热及过机械应力等失效的典型特征,指出了失效机理与特征之间的对应关系,以便于使用者在实际应用中尽快找到IGBT的失效原因并合理地使用IGBT器件。

引用

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页数：4