(OsB)_n（n=1-6）团簇结构与稳定性的第一性原理研究

被引：6

作者：

张秀荣 ^{[1
]}

张伟 ^{[2
]}

高从花 ^{[2
]}

刘小芳 ^{[3
]}

机构：

[1] 江苏科技大学高等教育研究所

[2] 江苏科技大学材料科学与工程学院

[3] 江苏科技大学数理学院

来源：

计算机与应用化学 | 2010年 / 27卷 / 02期

关键词：

(OsB)n团簇; 几何结构; 稳定性;

D O I：

10.16866/j.com.app.chem2010.02.020

中图分类号：

O641.1 [化学键理论];

学科分类号：

070305 [高分子化学与物理];

摘要：

基于第一性原理,采用密度泛函理论（DFT）中的广义梯度近似（GGA）对（OsB）_n（n=1-6）团簇各种可能的构型进行了几何结构优化,得出了各团簇的最稳定构型,并对最稳定构型的能量、结合能、二阶能量差分、能隙等性质进行了理论研究。研究结果表明:n=2、3时,体系的基态结构分别为棱形和锅盖形;n=4时,体系的基态结构是对称性为Td的立方体形状,是本文对称性最高的构型;从n=4开始立方体构型主导着团簇基态结构的生长行为,表明团簇的稳定性不仅与团簇的尺寸大小有关,还与团簇的对称性有关。团簇（OsB）4的能隙、结合能与能量的二阶差分比邻近的值都大,说明团簇（OsB）4有较高的稳定性,n=4是团簇的幻数。

引用

页码：221 / 224

页数：4

共 13 条

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SiC微波半导体在T/R组件中的应用前景 [J].