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灭弧室内屏蔽罩上电位变化的机理研究
被引:10
作者
:
李卫国
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机构:
华北电力大学
李卫国
论文数:
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机构:
田涛
吴军
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0
机构:
华北电力大学
吴军
机构
:
[1]
华北电力大学
来源
:
中国电机工程学报
|
2008年
/ 09期
关键词
:
屏蔽罩电位;
真空度;
场致发射;
汤森放电;
D O I
:
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2008.09.015
中图分类号
:
TM561.2 [真空断路器];
学科分类号
:
摘要
:
为了分析真空断路器灭弧室内真空度降低时屏蔽罩上电位发生变化的机制,设计了一套检测屏蔽罩上电位的试验系统。通过实验发现真空度下降到一定值时灭弧室内出现放电现象,同时找出了屏蔽罩上交流电位和直流电位分别与真空度之间的对应关系。随后应用气体放电理论对这一系列的对应关系进行了机制分析,找到2种电位在屏蔽罩上形成的原因。分析中还给出灭弧室在真空度下降时屏蔽罩上电位变化的等效电路模型。试验结果和理论分析为真空度断路器的真空度在线检测提供了依据。
引用
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页码:122 / 126
页数:5
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