基于加速老化试验的IGBT寿命预测模型研究

绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在工作过程中经常要承受过热和较大的温度波动,当热损伤达到一定程度时,模块极有可能出现失效,这会给电力系统造成巨大的危害。如果能根据寿命预测模型提前预估模块的寿命,便可以在模块即将失效之前进行更换,从而避免模块突然失效带来的损失。因此,考虑在检测模块壳温的条件下进行IGBT的温度循环试验,研究工况中易获得的壳温与IGBT寿命的关系模型。在已有寿命模型的基础上,提出改进的寿命预测模型,经试验数据验证准确度更高。