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论表面分析及其在材料研究中的应用.[M].黄惠忠等著;.科学技术文献出版社.2002,
纳米SiC表面接枝修饰的XPS研究
被引：6
作者：
车剑飞
周莉
马佳郡
伍玉兰
汪信
机构：
[1] 南京理工大学高分子材料系
来源：
关键词：
纳米粒子;
表面修饰;
X射线光电子能谱;
碳化硅;
D O I：
10.13922/j.cnki.cjovst.2005.04.004
中图分类号：
O611 [化学元素与无机化合物];
学科分类号：
摘要：
聚合物在纳米粒子表面接枝后,可在其表面建立起空间位阻稳定层,提高纳米粒子的分散稳定性及其与树脂基体的相容性。本文采用缩聚法在纳米SiC表面接枝了聚缩醛,X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表明,经过聚缩醛接枝改性的纳米SiC表面Si2p峰明显降低,而C1s峰和O1s峰明显地增长,对C1s、Si2p峰精细扫描及分峰拟合表明,纳米SiC表面碳元素中有38.4%属于接枝物聚缩醛的有机碳,而79.8%的Si元素结合能增加了2.5eV,由此表明,纳米SiC表面形成了良好的表面修饰层,接枝物聚缩醛以化学键结合于纳米SiC表面;对比XPS和热失重分析(TG)的数据结果,可以推测,聚缩醛主要分布在纳米SiC的表面,而在体相中独立存在的几率较小。
引用
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