提高发光二极管(LED)外量子效率的途径

被引：15

作者：

齐云

戴英

李安意

机构：

[1] 山东大学晶体材料国家重点实验室

[2] 山东大学物理与微电子学院

来源：

电子元件与材料 | 2003年 / 04期

关键词：

分布布喇格反射层结构; 透明衬底; 倒金字塔形LED; 表面粗化技术;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2003.04.015

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技术。对比了每种方法的发展过程及效率。

引用

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