氮离子束注入谷子种子后代基因组的RAPD分析

被引：14

作者：

任祎 ^{[1
]}

牛西午 ^{[2
]}

王世研 ^{[3
]}

韩美清 ^{[4
]}

机构：

[1] 山西农业大学农学院

[2] 山西省农业科学院

[3] 中国药科大学生命科学与技术学院

[4] 河北省环境科学研究院

来源：

核农学报 | 2006年 / 04期

关键词：

谷子; 离子注入; γ辐照; RAPD分析;

D O I：

暂无

中图分类号：

S515 [粟（谷子、小米）];

学科分类号：

090103 [种子科学与技术];

摘要：

本试验应用RAPD标记技术对氮离子注入和γ射线辐射谷子种子引起的后代个体基因组DNA变异进行检测并作比较。145份材料在经筛选后的10个具多态性的随机引物上扩增得到94个多态性位点,145份材料之间的平均遗传距离为0.1978。结果表明低能氮离子注入谷子种子可以引起体内基因组DNA发生突变,经氮离子束注入的后代遗传差异大于γ射线处理引起的后代遗传差异。其中剂量为2.5×1016N+/cm2的氮离子束处理引起的后代遗传差异最大,平均遗传距离为0.1920,表明离子束注入应用于谷子诱变育种可以引起较丰富的遗传变异,是一种有效的生物品种改良新技术。

引用

页码：259 / 262

页数：4

共 9 条

[1]

低能N+离子束注入香瓜种子引起的变异及后代基因组的RAPD分析 [J].