低能N+离子、紫外线和60Coγ射线对绛红小单孢菌产庆大霉素的诱变效应初步研究

研究了以庆大霉素生产菌绛红小单孢菌为供试菌株,比较了低能N+离子、紫外线和60Co γ 射线对绛红小单孢菌的剂量存活效应和诱变效果。结果发现,N+离子注入的存活曲线与紫外线、60Co γ 射线辐照不同,即紫外线,60Co γ 射线照射绛红小单孢菌的剂量存活曲线均是指数曲线,而N+离子注入呈复杂下降、上升、再下降的趋势,而且3种辐射在诱变效应上也有很大的差异。在相同死亡率条件下,紫外线诱变率低,但正变多于负变,而 γ 射线诱变率高,负变远远多于正变。适当剂量的N+离子注入表现出诱变率高、正变率高及正变幅度大的特点,效果更像紫外+LiCL的复合诱变。并确定了N+离子注入绛红小单孢菌的适宜诱变剂量是在存活率高峰处附近。