硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善

被引：2

作者：

张媛媛

丁双朋

陈炳若

机构：

[1] 武汉大学物理科学与技术学院

[2] 武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉

[3] 湖北武汉

来源：

关键词：

双结型硅色敏器件; 蓝紫响应度; 短路电流比波长特性;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.2003.04.006

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

尝试选择不同的衬底材料、不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件。通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料、深结较浅工艺的N+PN型器件蓝紫响应度较好的结论。

引用

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