大容量逆变电源IGBT并联应用的仿真分析

该文针对逆变电源向大功率发展时受单管IGBT(绝缘门极双极型晶体管)电流容量限制的问题,受MOSFET(电力场效应晶体管)并联扩流成功应用的启发,提出采用多IGBT的并联技术,解决进一步提高逆变电源容量的难题。在分析IGBT工作机理基础上,给出了电路拓扑及其工作原理,并对并联器件产生的均流问题进行了重点分析,提出了相应的解决方法,推荐了IGBT并联应用的厚膜集成驱动电路。通过理论分析和计算机仿真结果表明:在大容量逆变电源中采用IGBT并联技术是有效可行的,它可以显著增加整机的电流容量,提高电源的有效功率。