中国IGBT制造业发展、现状与问题的思考

被引：3

作者：

亢宝位

机构：

[1] 北京工业大学电子信息与控制工程学院

来源：

关键词：

电力电子; 绝缘栅双极型晶体管; 制造业;

D O I：

10.14171/j.2095-5944.sg.2013.01.002

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

首先陈述世界范围内绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)的发展,进而主要说明对于中国IGBT的发展、现状与问题的初步思考,以期引起同行讨论,为下一步发展凝聚共识,降低发展成本。

引用

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