双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应附视频

被引:27
作者
周怀安
杜正伟
龚克
机构
[1] 清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室
关键词
瞬态响应; 电磁脉冲; 双极型晶体管; 烧毁; 2维器件数值模拟;
D O I
暂无
中图分类号
TN322.8 [];
学科分类号
摘要
利用时域有限差分法,对双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟,分析了器件烧毁过程中电场、电流密度、温度等参数的分布及变化情况,分别观察了低电压和高电压脉冲作用下烧毁过程中热点的形成过程,并得到了器件烧毁所需时间以及能量与脉冲电压幅度之间的关系。在电压脉冲较低时,烧毁点位于通道中靠近集电极的位置,当脉冲电压达到一定幅度的时候,由于发射极与集电极之间发生雪崩击穿,基极和发射极之间电势会抬高,从而引起基极和发射极之间的击穿,形成新的热点,并在电压幅度约高于100 V的情况下会率先达到烧毁温度。随着脉冲电压幅度的增高,晶体管烧毁所需时间呈负指数减少,而所需能量在55~100 V之间接近于线性增长,直到电压幅度约高于100 V时才开始减少。
引用
收藏
页码:1861 / 1864
页数:4
相关论文
共 3 条
[1]   二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系 [J].
余稳 ;
蔡新华 ;
黄文华 ;
刘国治 .
强激光与粒子束, 2000, (02) :215-218
[2]   电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏 [J].
余稳,蔡新华 ;
黄文华,刘国治 .
强激光与粒子束, 1999, (03) :100-103
[3]  
半导体器件的计算机模拟方法[M]. - 科学出版社 , 何野, 1989