反应磁控溅射的进展

被引：127

作者：

茅昕辉

陈国平

蔡炳初

机构：

[1] 上海交通大学微纳米科学技术研究院!上海

[2] 东南大学薄膜研究所!江苏南京

来源：

关键词：

反应磁控溅射; 中频溅射; 脉冲溅射; 化合物薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.92 [溅射];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍了中频溅射在减反膜、高反膜和低辐射率膜工业化生产中的应用

引用

页码：1 / 7

页数：7