共 4 条
InGaAlP LED发光特性分析
被引:3
作者:
郑智斌
机构:
[1] 厦门华联电子有限公司福建厦门
来源:
关键词:
发光二极管;
InGaAlP;
发光特性;
发光强度;
半强度角;
支架;
D O I:
暂无
中图分类号:
O472.1 [];
学科分类号:
摘要:
InGaAlPLED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛。在InGaAlPLED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlPLED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响。
引用
收藏
页码:450 / 453
页数:4
相关论文