磁控溅射矩形靶磁场的优化设计

被引：22

作者：

石中兵

童洪辉

赵喜学

机构：

[1] 核工业西南物理研究院

[2] 核工业西南物理研究院四川成都

[3] 四川成都

来源：

真空与低温 | 2004年 / 02期

关键词：

等离子体; 磁控溅射; 矩形靶; 优化设计; 刻蚀;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

080101 [一般力学与力学基础];

摘要：

磁控溅射靶材的利用率在降低生产成本中起着重要作用。正交的靶电磁场能显著地延长电子的运动路程,增加同工作气体分子的碰撞几率,提高等离子体密度,使磁控溅射速率数量级的提高,因此靶面正交电磁场的分布将决定靶的烧蚀情况。提出了2种改善矩形平面靶磁场分布的方法,经过分析,这2种设计将拓宽靶面的刻蚀范围,提高靶材的利用率。

引用

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