驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计

被引：6

作者：

刘桂英

成叶琴

周琴

机构：

[1] 上海电机学院电气学院

来源：

上海电机学院学报 | 2009年 / 12卷 / 03期

关键词：

自举电路; 驱动芯片; 高压浮动MOSFET;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式。通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值。

引用

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页数：4

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国外电子元器件, 2005, (01) :44-47

[2] 高压浮动MOSFET栅极驱动技术 [J].

李正中 ;

孙德刚 .

通信电源技术, 2003, (03) :37-40

[3]

电力电子技术.[M].丁道宏主编;.航空工业出版社.1992,