InN和GaN系衬底材料的研究和发展

被引：2

作者：

徐军

周圣明

杨卫桥

夏长泰

彭观良

蒋成勇

周国清

邓佩珍

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

[2] 中国科学院上海光学精密机械研究所上海

[3] 上海

来源：

中国有色金属学报 | 2004年 / S1期

关键词：

InN; GaN; 宽禁带半导体; 衬底;

D O I：

10.19476/j.ysxb.1004.0609.2004.s1.062

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景。

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页码：386 / 390

页数：5

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