High-quality InAIN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy (vol 40, pp 214, 2006)

被引：2

作者：

Hiroki, M. ^{[1
]}

Yokoyama, H. ^{[1
]}

Watanabe, N. ^{[1
]}

Kobayashi, T. ^{[1
]}

机构：

[1] NTT Corp, NTT Photon Labs, High Speed Devices & Technol Lab, 3-1 Morinosato Wakamiya, Kanagawa 2430198, Japan

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.spmi.2008.06.004

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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