Vertical-cavity stimulated emission from photopumped InGaN/GaN heterojunctions at room temperature - Comment

被引：12

作者：

Bagnall, DM

ODonnell, KP

机构：

[1] Department of Physics and Applied Physics, University of Strathclyde

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1996年 / 68卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1063/1.116057

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

[No abstract available]

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共 2 条

[1] VERTICAL-CAVITY STIMULATED-EMISSION FROM PHOTOPUMPED INGAN/GAN HETEROJUNCTIONS AT ROOM-TEMPERATURE [J].

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