Interface structures generated by negative-bias temperature instability in Si/SiO2 and Si/SiOxNy interfaces

被引：10

作者：

Ushio, J ^{[1
]}

Kushida-Abdelghafar, K ^{[1
]}

Maruizumi, T ^{[1
]}

机构：

[1] Hitachi Ltd, Adv Res Lab, Kokubunji, Tokyo 1858601, Japan

来源：

2001 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE RESEARCH SYMPOSIUM, PROCEEDINGS | 2001年

关键词：

D O I：

10.1109/ISDRS.2001.984464

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：158 / 160

页数：3

共 5 条

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