2D Monte Carlo simulation of hole and electron transport in strained Si

被引：18

作者：

Formicone, GF ^{[1
]}

Vasileska, D ^{[1
]}

Ferry, DK ^{[1
]}

机构：

[1] Arizona State Univ, Ctr Solid State Elect Res, Tempe, AZ 85287 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1155/1998/67849

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：167 / 171

页数：5

共 9 条

[1]

[Anonymous], 1991, SEMICONDUCTORS

DRESSELHAUS, G ;

KIP, AF ;

KITTEL, C .

PHYSICAL REVIEW, 1955, 98 (02) :368-384

[3]

HOYT JJ, COMMUNICATION

[4] ENERGY-BAND STRUCTURE FOR STRAINED P-TYPE SI1-XGEX [J].

MANKU, T ;

NATHAN, A .

PHYSICAL REVIEW B, 1991, 43 (15) :12634-12637

[5]

PIKUS GE, 1959, SOV PHYS-SOLID STATE, V1, P1502

RIEGER, MM ;

VOGL, P .

PHYSICAL REVIEW B, 1993, 48 (19) :14276-14287

[7]

VASILESKAKAFEDZ.D, 1995, THESIS ARIZONA STATE

[8]

VOGL P, COMMUNICATION

[9]

WELSER J, 1994, THESIS STANFORD U