Scaling of Si and GaAs trench etch rates with aspect ratio, feature width, and substrate temperature (vol 13, pg 92, 1995)

被引：3

作者：

Bailey, AD

vandeSanden, MCM

Gregus, JA

Gottscho, RA

机构：

[1] AT&T BELL LABS,LUCENT TECHNOL,MURRAY HILL,NJ 07974

[2] EINDHOVEN UNIV TECHNOL,NL-5600 MB EINDHOVEN,NETHERLANDS

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1997年 / 15卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.589761

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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