Surface photovoltage studies of InxGa1-xAs and InxGa1-xAs1-yNy quantum well structures (vol 66, art no 205324, 2002) -: art. no. 249902

被引：1

作者：

Dumitras, G

Riechert, H

Porteanu, H

Koch, F

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 2003年 / 67卷 / 24期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.67.249902

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

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共 1 条

[1] Surface photovoltage studies of InxGa1-xAs and InxGa1-xAs1-yNy quantum well structures -: art. no. 205324 [J].

Dumitras, G ;

Riechert, H ;

Porteanu, H ;

Koch, F .

PHYSICAL REVIEW B, 2002, 66 (20) :1-8