MOCVD of ZnO thin films for potential use as compliant layers for GaN on Si (vol 310, pg 1010, 2008)

被引：2

作者：

Black, Kate ^{[1
]}

Jones, Antony C. ^{[1
,3
]}

Chalker, Paul R. ^{[2
]}

Gaskell, Jeffrey M. ^{[1
]}

MurreyB, Robert T. ^{[2
]}

Joyce, Tim B. ^{[2
]}

Rushworth, Simon A. ^{[3
]}

机构：

[1] Univ Liverpool, Dept Chem, Liverpool L69 3ZD, Merseyside, England

[2] Univ Liverpool, Dept Mat Sci & Engn, Liverpool L69 3ZD, Merseyside, England

[3] Epichem Ltd, Wirral 3ZD, Merseyside, England

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.jcrysgro.2009.09.028

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：4812 / 4812

页数：1