Stacking-fault formation and propagation in 4H-SiC PiN diodes (vol 31, pg 370, 2002)

被引：18

作者：

Stahlbush, RE ^{[1
]}

Fatemi, M

Fedison, JB

Arthur, SD

Rowland, LB

Wang, S

机构：

[1] USN, Res Lab, Washington, DC 20375 USA

[2] GE Co, Ctr Corp Res & Dev, Niskayun, NY 12309 USA

[3] Sterling Semicond, Danbury, CT 06810 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/s11664-002-0245-x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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