CORRECTION

被引:11
作者
BERGERSEN, B
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1977年 / 15卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.15.2432
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:2432 / 2432
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共 1 条
[1]   ELECTRON-HOLE DROPLETS AND IMPURITY BAND STATES IN HEAVILY DOPED SI(P) - PHOTOLUMINESCENCE EXPERIMENTS AND THEORY [J].
BERGERSEN, B ;
ROSTWOROWSKI, JA ;
ESWARAN, M ;
PARSONS, RR .
PHYSICAL REVIEW B, 1976, 14 (04) :1633-1648