CORRECTION

被引:1
作者
DASILVA, AF
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 08期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.39.5475
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:5475 / 5475
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共 1 条
[1]   METAL-INSULATOR TRANSITIONS IN DOPED SILICON AND GERMANIUM [J].
DASILVA, AF .
PHYSICAL REVIEW B, 1988, 37 (09) :4799-4800