CHARACTERISTICS OF SILICON REMOVAL BY FINE FOCUSED GALLIUM ION-BEAM

被引:66
作者
YAMAGUCHI, H
SHIMASE, A
HARAICHI, S
MIYAUCHI, T
机构
[1] Hitachi Ltd, Production Engineering, Research Lab, Yokohama, Jpn, Hitachi Ltd, Production Engineering Research Lab, Yokohama, Jpn
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 01期
关键词
Compendex;
D O I
10.1116/1.583294
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
3
引用
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